Dispositivi e circuiti elettronici di potenza: modelli e caratterizzazione sperimentale

Abstract

Simulazioni elettrotermiche di AlGaN/GaN Hemt per la determinazione delle temperature di canale e l'influenza della retroazione termica. Simulazioni a livello fisico e misure in condizioni realistiche di Diodi PiN: caratterizzazione del fenomeno del Breakdown e del reverse recovery in dispositivi veloci. Progettazione di un convertitore di frequenza per altissime potenze.