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dc.contributor.advisorCova, Paolo-
dc.contributor.authorBertoluzza, Fulvio-
dc.date.accessioned2012-07-02T11:40:15Z-
dc.date.available2012-07-02T11:40:15Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1889/1890-
dc.description.abstractSimulazioni elettrotermiche di AlGaN/GaN Hemt per la determinazione delle temperature di canale e l'influenza della retroazione termica. Simulazioni a livello fisico e misure in condizioni realistiche di Diodi PiN: caratterizzazione del fenomeno del Breakdown e del reverse recovery in dispositivi veloci. Progettazione di un convertitore di frequenza per altissime potenze.it
dc.language.isoItalianoit
dc.publisherUniverstà di Parma. Dipartimento di Ingegneria dell'informazioneit
dc.relation.ispartofseriesDottorato di ricerca in tecnologie dell'informazioneit
dc.rights® Fulvio Bertoluzza, 2012it
dc.subjectSimulazioni termoelettriche di HEMTit
dc.subjectSimulazioni elettriche diodi PiNit
dc.subjectMisure diodi PiNit
dc.subjectConvertitore di frequenzait
dc.subjectAlte potenzeit
dc.titleDispositivi e circuiti elettronici di potenza: modelli e caratterizzazione sperimentaleit
dc.typeDoctoral thesisit
dc.description.fulltextopenen
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