MOVPE Growth of InP-based III-V compounds doped with transition metals (Fe,Mn)

Abstract

The project of thesis has concerned the growth through phase epitassia vapor with metal-organic precursors (MOVPE) of semiconductors compounds III-V "InP-based" (InGaAsp/ InP o GaAs)and their structural optimization, electric and optics to the goals of the study of the effects of the introduction of metals of transition (Fe, Mn) obtained through ionic implantation after the growth or through doping during the same one. The first aspect is concerning the possibility of obtaining areas to high electrical resistivity for the electric insulation in integrated devices while the second is turned to the possibility of exploiting the magnetic properties induced in the semiconductor (Diluted magnetic semiconductors) by the incorporation of 3d metals.

Il progetto di tesi ha riguardato la crescita mediante epitassia da fase vapore con precursori metallo-organici (MOVPE) di semiconduttori composti III-V “InP-based” (InGaAsP/ InP o GaAs) e la loro ottimizzazione strutturale, elettrica e ottica ai fini dello studio degli effetti dell’introduzione di metalli di transizione (Fe, Mn) ottenuta mediante impiantazione ionica dopo la crescita o mediante drogaggio durante la stessa.Il primo aspetto è relativo alla possibilità di ottenere regioni ad alta resistività elettrica per l’isolamento elettrico in dispositivi integrati mentre il secondo è rivolto alla possibilità di sfruttare le proprietà magnetiche indotte nel semiconduttore (semiconduttori magnetici diluiti) dall’incorporazione di metalli 3d.